| 型号： | HCT802TXV | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | TT Electronics/Optek Technology | 描述： | MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| HCT802TXV PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 90V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2A，1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5 欧姆 @ 1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 70pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商设备封装 | 6-SMD |
| 包装 | 散装 |